SK Hynix ka njoftuar se e ka zhvilluar DRAM-in 1Z nm 16Gb (gigabit) DDR4 (Double Data Rate 4). Meqë 16Gb e paraqet dendësinë më të lartë të industrisë për një çip, kapaciteti i përgjithshëm i memories për vafer është gjithashtu më i larti për DRAM-in ekzistues, raporton TechPowerUp.
Produktiviteti i kësaj memorie është përmirësuar me 27 për qind krahasuar me gjeneratën e mëparshme 1Y nm. Gjithashtu, memoria nuk kërkon litografi jashtëzakonisht të shtrenjtë EUV (extreme ultraviolet), gjë që i jep asaj një përparësi konkurruese.
DRAM-i i ri 1Z nm i mbështet shpejtësitë e transferimit të të dhënave deri në 3200 Mbps, që është shpejtësia më e lartë e procesimit të të dhënave për interfejsin DDR4, shkruan KOHA Ditore. Kompania gjithashtu e përmirësoi ndjeshëm efikasitetin e konsumit me 40 për qind në krahasim me modulet 1Y nm 8Gb DRAM.
SK Hynix planifikon ta zgjerojë procesin e vet 1Z nm në një gamë të larmishme aplikacionesh, siç është LPDDR5, gjenerata e ardhshme e DRAM-it mobil dhe memories me shpejtësi të lartë HBM3.
